氮化鎵化學式為GaN，由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，其高熱導率和基本不會被腐蝕的極強化學穩定性，被廣泛運用于持續高溫大功率器件上。

圖片資料來源：品利基金

GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。

作為第三代半導體材料的杰出代表，氮化鎵技術一時間在快充產品中更是被廣泛應用，快充市場日益成為氮化鎵應用zui大的推動力；如今，氮化鎵材料已不僅僅應用于消費電子電源適配器領域，日前這一產品在手機端亦在加速滲透。

圖片資料來源：品利基金

氮化鎵有三大應用領域：

第一是光電子領域，當中包括較低端的LED以及高端激光應用；

第二是射頻領域，主要應用于5G基站中的射頻放大器，但目前推廣似乎陷入了產業上的停滯；

第三則是在電力電子即功率器件方面的應用，當屬以手機為代表的消費類電子應用。

在工業用電領域，相比硅基、CoolMOS和碳化硅，氮化鎵器件能實現更優的性價比，并滿足高端電源對應用環境和產品規格的需求；工業上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。

由工采網代理的四川美闊GaN/氮化鎵 -?MGZ31N65具備特性：

（1）650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

（2）非常低的QRR

（3）減少交叉損失

（4）符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝

貼片封裝采用銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線；可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高可靠性；封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

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