GaN/氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件，可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載，有體積、功率密度方面的明顯優(yōu)勢。應(yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可以有效降低... 繼續(xù)閱讀 »