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集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路的新一代電容傳感微處理器SOC芯片

工采網(wǎng)代理的MCP61系列(Mysentech Capacitive Processor)是新一代電容傳感微處理器SOC芯片,集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路(AFECAP),可直接與被測(cè)物附近的差分電容極板相連,通過諧振激勵(lì)并解算測(cè)量微小電容的變化。激勵(lì)頻率在0.1~20MHz范圍內(nèi)可配置,其頻率測(cè)量輸出為16bit數(shù)字信號(hào),對(duì)應(yīng)的電容感知較高分辨率為1fF。

MCP61

為了解決各行業(yè)的電容傳感應(yīng)用,SOC芯片集成了Arm? Cortex?-M0內(nèi)核的微處理器,可實(shí)現(xiàn)各種嵌入式感知處理的算法,將原始的振蕩頻率數(shù)值,轉(zhuǎn)換成電容值及液位、含水率、位移距離等具體物理量。此外,芯片的模擬前端還集成了溫度傳感電路,可用于進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲袌?chǎng)景。內(nèi)置的16KB Flash存儲(chǔ)器,2KB SRAM,可讓開發(fā)者編寫應(yīng)用軟件,并存儲(chǔ)傳感校準(zhǔn)及應(yīng)用數(shù)據(jù)。芯片同時(shí)集成了ADC、高級(jí)定時(shí)器、通用定時(shí)器、位基本定時(shí)器等硬件資源以及USART、SPI和I2C接口。

數(shù)字電容傳感芯片 - MCP61的特性:

電容檢測(cè)前端

– 測(cè)量雙端互電容

– 電容測(cè)量范圍:1~1000pF

– 電容檢測(cè)頻率:0.1~20MHz

內(nèi)核與系統(tǒng)

– 32-bit Arm?Cortex?-M0

– 工作頻率可達(dá)48MHz

l 存儲(chǔ)器

– 16KB Flash存儲(chǔ)器

– 2KB SRAM

時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理

– 2.5V~5.5V供電

– 上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)

– 內(nèi)嵌48MHz HSI高速振蕩器

– 內(nèi)嵌40KHz LSI低速振蕩器

– 支持較高48MHz外部時(shí)鐘輸入(HSE,通過OSCIN引腳)

低功耗

– 多種低功耗模式,包括:睡眠(Sleep)、停機(jī)(Stop)和深度停機(jī)(Deep Stop)

– 平均功耗:12uA@1Hz

5個(gè)定時(shí)器

– 1個(gè)16位4通道高級(jí)控制定時(shí)器(TIM1)

– 1個(gè)16位4通道通用定時(shí)器(TIM3)

– 1個(gè)16位基本定時(shí)器(TIM14)

– 1個(gè)獨(dú)立時(shí)鐘的硬件看門狗定時(shí)器(IWDG)

– 1個(gè)Systick定時(shí)器:24位自減型計(jì)數(shù)器

11個(gè)快速I/O端口

– 所有I/O口可以映像到外部中斷

– 所有端口均可輸入輸出電壓不高于VDD的信號(hào)

3個(gè)通信接口

– 1個(gè)USART接口(支持SPI模式)

– 1個(gè)I2C接口

– 1個(gè)SPI接口

1個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),支持較快1μs轉(zhuǎn)換時(shí)間(1MSPS 采樣率),配置5個(gè)外

部通道和1個(gè)可采集內(nèi)置參考電壓的內(nèi)部通道

CRC計(jì)算單元

96位芯片唯一ID(UID)

調(diào)試模式–串行調(diào)試接口(SWD)接口

工作溫度范圍-40℃~+85℃

QSOP24/QFN24 封裝可選

電容傳感芯片 - MCP61的應(yīng)用:

連續(xù)液位檢測(cè)

水浸檢測(cè)

物質(zhì)介電檢測(cè)

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