數字電容處理器芯片通過電容變化感知目標物體狀態，核心原理包括電容傳感、模數轉換和信號處理。芯片內置感測電極，當物體靠近時，電極間電容值因介電常數變化而改變。

工采電子代理的MCP1081S (Mysentech Capacitive Processor)是新一代電容傳感微處理器SOC芯片，集成了十通道、多模式、寬頻電容模擬前端傳感電路、微處理器、存儲及豐富的I/O接口。電容測量頻率在0.1~30MHz范圍內可配置，輸出為16bit數字信號，較高分辨率為1fF。

芯片支持多種工作模式，可以測量包括單端電容、雙端浮空電容和互電容多種模式。芯片內部集成了16bit高精度的數字溫度傳感器，可用于需要溫度補償及其它溫度復合傳感的場景。

為了解決各行業電容感知的嵌入式處理，SOC芯片集成了Arm? Cortex?-M0內核的微處理器，可實現各種感知算法的邊緣計算，將原始測量的振蕩頻率數值，轉換成電容值及液位、含水率、位移、接近距離、等具體物理量。芯片內置了16KB Flash存儲器及2KB SRAM，可讓開發者編寫應用軟件，并存儲傳感校準及應用數據。芯片同時集成了ADC、高級定時器、通用定時器、16位基本定時器等硬件資源以及USART和I2C等接口。

MCP1081的單端模式典型應用電路如下：

其中管腳C0至C9連接單端電極，選取內部20pF作為參比電容。圖中管腳分配僅為一種示例。在實際應用中，可以根據需要，分配管腳連接單端電極、互電容電極或者外接電容。圖中VDD濾波電容CVDD1和CVDD2的取值范圍為100nF至10uF，兩個GND管腳都需要接地。

MCP1081的雙端模式典型應用電路如下：

其中管腳C0和C1、C2和C3、C4和C5、C6和C7、C8和C9接雙端電極，選取內部20pF作為參比電容。在實際應用中，可以根據需要，分配管腳連接雙端電極或者外接電容。圖中VDD濾波電容CVDD1和CVDD2的取值范圍為100nF至10uF， 兩個GND管腳都需要接地。

電容傳感芯片 - MCP1081S的特性：

電容檢測前端

–10路單端電容/5路雙端電容測量

–電容測量范圍：1pF~10nF

–電容檢測頻率：100KHz~30MHz

–電容/頻率分辨率：16bit

–支持有源屏蔽，相鄰互電容測量

內核與系統

–32-bit Arm?Cortex?-M0

–工作頻率可達48MHz

存儲器

–16KB Flash存儲器

–2KB SRAM

時鐘、復位和電源管理

–2.3V~5.5V供電

–上電/斷電復位（POR/PDR）、可編程電壓

監測器（PVD）

–內嵌48MHz HSI高速振蕩器

–內嵌40KHz LSI低速振蕩器

–支持較高48MHz外部時鐘輸入（HSE，通過OSCIN引腳）

低功耗

–支持低功耗模式，包括：睡眠（Sleep）和深度睡眠（Deep Sleep）

–平均功耗：12uA@1Hz

5個定時器

–1 個16位4通道高級控制定時器（TIM1）

–1 個16位4通道通用定時器（TIM3）

–1 個16位基本定時器（TIM14）

–1 個獨立時鐘的硬件看門狗定時器（IWDG）

–1 個Systick定時器：24位自減型計數器

9個快速I/O端口

–所有I/O口可以映像到外部中斷

–所有端口均可輸入輸出電壓不高于VDD的信號

3個通信接口

–1個USART接口

–1個I2C接口

1個12位模數轉換器（ADC），支持較快1μs轉換時間(1MSPS采樣率），配置4個外部通道和1個可采集內置參考電壓的內部通道

CRC計算單元

96位芯片唯一ID（UID）

調試模式–串行調試接口（SWD）接口

工作溫度范圍-40℃~+85℃

單通道轉換時間：0.1ms~23.5ms可配置

內置16bit高精度數字測溫

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